IGN1011M600 | RF Power Transistor IGN1011M600S

PublishTime：2025-03-16

IGN1011M600 和 IGN1011M600S 是高功率 GaN-on-SiC RF 功率晶体管，专为满足 IFF/SSR 航空电子系统的独特需求而设计。它们在 1030 和 1090 MHz 频率下工作。在 128µs 脉冲长度、2% 负载周期的脉冲条件下，它们提供至少 600 W 的峰值输出功率，典型增益为 16.5 dB，效率为 55%。它们由 50V 电源电压供电。为了最佳的热效率，晶体管封装在金属基封装中，带有环氧密封的陶瓷盖。

Brand of Product：	Integra Technologies
Part#：	IGN1011M600 、 IGN1011M600S More Part#
Product Category：	RF 功率晶体管 More
Application：	[ L 波段航空电子 IFF & SSR 系统，适用于上行链路和下行链路（应答机） ] More
Data Type：	Datasheet More
Safety & Environment Standards：	More
Operating Temperature：	Please see the document for details
Qualification Grade：	More
Qualification Approval：	More
Package：	PL64A1
Language：	English Chinese Chinese and English Japanese
Date of Creation：
Version Number：	IGN1011M600-REV-NC-DS-REV-B
Data Encoding：
Data Size：	393 KB

Data section preview(2pages)

- The full preview is over. If you want to read the whole 6 page document,please Sign in/Register -

Download

+1 Like
Add to Favorites

Recommend

Technical Resources

More>

All reproduced articles on this site are for the purpose of conveying more information and clearly indicate the source. If media or individuals who do not want to be reproduced can contact us, which will be deleted.

Integrated Circuits