TW027N65C,S1F SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

PublishTime： 2026-02-14 Manufacturer： HUA XUAN YANG ELECTRONIC Type： Datasheet Language： English

本资料文档详细介绍了HXY品牌的TW027N65C,S1F型号SiC功率MOSFET N沟道增强型器件。该器件采用宽禁带SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速开关特性。它适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等应用。文档中包含了器件的最大额定值、热特性、电气特性、门极电荷特性、反向二极管特性、开关特性和典型性能等详细信息。

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