SBX2540-3G | SBX2545-3G | SBX2560-3G
SBX2540-3G | SBX2545-3G | SBX2560-3G
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3
rd
Generation
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation
I
FAV
= 25 A
V
F@5A
< 0.45 ... 0.57 V
V
F125
~ 0.25 ... 0.37 V
V
RRM
= 40 | 45 | 60 V
I
FSM
= 290 | 180 A
T
jmax
= 150°C
Version 2023-08-15
Ø 5.4 x 7.5
Low R
thL
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Type / Typ
HS Code 85411000
Typical Applications
Solar Bypass Diodes, Polarity
Protection, Output Rectification in
DC/DC Converters. For free-wheeling
diodes in power tools, Protectifiers®
are the better choice
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Solar-Bypassdioden, Verpolschutz,
Freilaufdioden, Ausgangsgleichrichtung
in Gleichstromwandlern. Als
Freilaufdioden in E-Werkzeugen sind
Protectifiers® die bessere Wahl
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
Best trade-off between V
F
and I
R
2
)
Lowest R
thL
for lowest T
j
Smaller package outline
than SBX2540
Compliant to RoHS (exemp. 7a),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Optimale Auswahl von V
F
und I
R
2
)
Niedrigster R
thL
für niedrigstes T
j
Gehäusegröße kleiner
als SBX2540
Konform zu RoHS (Ausn. 7a),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack
On request: on 13” reel
500
1000
Gegurtet in Ammo-Pack
Auf Anfrage: auf 13” Rolle
Weight approx. 2 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
3
) Grenzwerte
3
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
SBX2540-3G 40 40
SBX2545-3G 45 45
SBX2560-3G 60 60
Max. average forward current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung T
A
= 50°C I
FAV
25 A
1
)
Peak forward surge current
Half sine-wave
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Sinus-Halbwelle
SBX2540-3G
SBX2545-3G
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
290 A
330 A
SBX2560-3G
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
180 A
200 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i
2
t 420 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
T
j
T
j
-50...+150°C
≤ 200°C
2,2)
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
1 Valid, if leads are kept at T
A
in 10 mm distance from case – Gültig, wenn die Anschlüsse in 10 mm vom Geh. auf T
A
geh. werden
2 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test – Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Halogen
FREE
SBX2540-3G | SBX2545-3G | SBX2560-3G
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] @ I
F
[A] @ T
j
V
F
[V] @ I
F
[A] @ T
j
V
F
[V] @ I
F
[A] @ T
j
SBX2540-3G
SBX2545-3G
typ. 0.25 5 125°C < 0.45 5 25°C < 0.57 25 25°C
SBX2560-3G typ. 0.37 5 125°C < 0.57 5 25°C < 0.69 25 25°C
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
R
= V
RRM
I
R
< 200 µA
typ. 10 mA
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität V
R
= 4 V C
j
720 pF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
10 K/W
1
)
Typical thermal resistance junction to lead (at the case)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschlussdraht (am Gehäuse)
R
thL
2.1 K/W
2
)
Dimensions - Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
2
10
1
1
10
-1
10
-2
[mA]
I
R
0
V
RRM
40 60 80 100
[%]
Typ. instantaneous leakag e current vs. rev. voltage
Typ. Sp errstrom (Aug enb lickswert) ü. S perrspannung
T = 2 5°C
j
T = 1 0 0 ° C
j
T = 1 2 5 ° C
j
T = 7 5°C
j
T = 5 0°C
j
T = 1 5 0 °C
j
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0
V
F
0.4 0.6
[V]
1.0
T = 25°C
j
T = 125°C
j