UGB16JCD2
UGB16JCD2
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
I
FAV
= 2x 8 A
V
F
< 1.75 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 600 V
I
FSM
= 112/125 A
t
rr1
< 35 ns
Version 2021-07-19
TO-263AB
D²PAK
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Type/Typ
HS Code 85411000
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High efficient switching stages
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Freilaufdioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
Dual diode, common cathode
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS (exemp. 7a),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS (Ausn. 7a),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
)
Mechanische Daten
1
)
Packed in tubes/cardboards
On request: on 13” reel
50/1000
800
Verpackt in Stangen/Kartons
Auf Anfrage: auf 13” Rolle
Weight approx. 1.8 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
UGB16JCD2 600 600
Average forward current
Dauergrenzstrom
T
C
= 100°C
I
FAV
8 A
3
)
16 A
4
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz T
C
= 100°C I
FRM
22 A
3
)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
112 A
3
)
125 A
3
)
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 62 A
2
s
3
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Per diode − Pro Diode
4 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
3
1
2
4
UGB16JCD2
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
t
rr
[ns]
1
) t
rr
[ns]
2
) @ T
j
V
F
[V]
3
) @ I
F
[A] @ T
j
UGB16JCD2 < 35 < 45 25°C
< 1.60
< 1.75
5
8
25°C
Leakage current – Sperrstrom T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
I
R
< 5 µA
3
)
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität V
R
= 4 V C
j
typ. 50 pF
3
)
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
R
thC
< 2.0 K/W
4,5
)
Dimensions - Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
2 I
F
= 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, V
R
= 30 V
3 Per diode − Pro Diode
4 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
5 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current vs. temp. of the case
in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
C
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
200a-(5a-0.95v)