MMDT2227
MMDT2227
SMD General Purpose NPN | PNP Transistors
SMD Universal-NPN | PNP-Transistoren
I
C
= 600 mA
h
FE
= 35...300
T
jmax
= 150°C
V
CEO
= 40 V | -60V
P
tot
= 200 mW
Version 2023-03-22
SOT-363
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking Code
See below'XX' | Siehe unten 'XX'
HS Code 85412100
Typical Applications
Signal processing
Switching, Amplification
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifizierung
1
)
Features
Two complementary transistors
in one package
Compliant to RoHS (w/o exemption)
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Zwei Komplementär-Transistoren
in einem Gehäuse
Konform zu RoHS (ohne Ausn.)
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
MMDT2227
'K27'
T1 - NPN
1 = E1 2 = B1 6 = C1
T2 - PNP
3 = C2 4 = E2 5 = B2
Dual
Transistors
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
T1 - NPN T2 - PNP
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CEO
40 V -60 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open V
CBO
75 V -60 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
6 V -5 V
Collector current – Kollektorstrom DC 600 mA -600 mA
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
200 mW
3
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
-55...+150°C
-55...+150°C
Dimensions Maße [mm]
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C and per transistor, unless otherwise specified. For the PNP transistor, the parameters must be set to negative
T
A
= 25°C und pro Transistor, wenn nicht anders angegeben. Für den PNP-Transistor sind die Parameter negativ zu setzen
3 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1
2
3
5
4
6
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
MMDT2227
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 10 V I
C
= 0.1 mA
V
CE
= -10 V I
C
= -0.1 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
h
FE
35
75
– –
V
CE
= 10 V I
C
= 1 mA
V
CE
= -10 V I
C
= -1 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
50
100
– –
V
CE
= 10 V I
C
= 10 mA
V
CE
= -10 V I
C
= -10 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
75
100
– –
V
CE
= 10 V I
C
= 150 mA
V
CE
= -10 V I
C
= -150 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
100 – 300
V
CE
= 10 V I
C
= 500 mA
V
CE
= -10 V I
C
= -500 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
40
50
– –
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 150 mA I
B
= 15 mA
I
C
= -150 mA I
B
= -15 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
V
CEsat
– –
0.3 V
-0.4 V
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
I
C
= -500 mA I
B
= -50 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
V
CEsat
– –
1.0 V
-1.6 V
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
I
C
= 150 mA I
B
= 15 mA
I
C
= -150 mA I
B
= -15 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
V
BE
0.6 V
–
–
–
1.2 V
-1.3 V
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
I
C
= -500 mA I
B
= -50 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
V
BE
–
–
–
–
2.0 V
-2.6 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
V
CB
= 60 V E open
V
CB
= -60 V E open
I
CBO
– –
10 nA
-10 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
V
EB
= 3 V C open
V
EB
= -3 V C open
I
EBO
– –
10 nA
-10 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 20 V, I
C
= 20 mA, f = 100 Mhz
V
CE
= -20 V, I
C
= -20 mA, f = 100 MHz
f
T
300 Mhz
200 Mhz
– –
Delay & Rise Time – Verzögerungs- und Anstiegszeit
V
CC
= 30 V I
C
= 150m A V
BE(off)
= - 0.5 V I
B1
= 15 mA t
d
t
r
– 10 ns
25 ns
–
Storage & Fall Time – Speicher- und Abfallzeit
V
CC
= 30 V I
C
= 150m A I
B1
= I
B2
=15 mA t
s
t
f
– 225 ns
60 ns
–
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazit��t
V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 Mhz
V
CB
= -10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz
T1 - NPN
T2 - PNP
C
CBO
– – 8.0 pF
Typ. thermal resistance junction to ambient (per device)
Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
R
thA
420 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG