Tentative
3SK-170204-4
1.
Absolute Maximum Ratings / 絶対最大定格
Tc=25℃ unless otherwise specified. / 指定なき場合はTc=25℃
1.1 MOSFET
Item
項目
Symbol
記号
Ratings
規格値
Unit
単位
Drain–Source Voltage
ドレイン・ソース間電圧
せん頭逆電圧
V
DSS
60
V
Gate–Source Voltage
ゲート���ソース間電圧
V
GSS
±20
V
Drain Current
ドレイン電流
I
D
110(TBD)
A
Continuous Drain Current (Peak)
��レイン電流 (ﾋﾟｰｸ)
I
Dp
440(TBD)
A
Operation Channel Temperature
チャネル温度
T
ch
150
℃
Total Power Dissipation
全損失
P
T
128
W
1.2 COMMON
Item
項目
Symbol
記号
Ratings
規格値
Unit
単位
Storage Temperature
保存温度
T
stg
-55～+150
℃
Screw Torque(M3)
締め付けトルク
TOR
0.8
N・m
2.
Electrical Characteristics / 電気的特性
Tj=25℃ unless otherwise specified. /指定なき場合は、Tj=25℃
2.1 MOSFET
Item
項目
Symbol
記号
Conditions
条件
Min.
最小値
Typ.
標準値
Max.
最大値
Unit
単位
Drain–Source Breakdown Voltage
ドレイン・ソース間降伏電圧
V
(BR)DSS
ID=1mA,VGS=0V
60
―
―
V
Zero Gate Voltage Drain Current
ドレイン遮断電流
I
DSS
VDS=60V,VGS=0V
―
―
1
μA
Gate-Source Leakage Current
ゲート漏れ電流
I
GSS
VGS=±20V,VDS=0V
―
―
±0.1
μA
Drain–Source On–State Resistance
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
DS(on)
ID=55A（TBD）,VGS=10V
―
3.1
（TBD）
3.9
（TBD）
mΩ
Gate Threshold Voltage
ゲートしきい値電圧
V
th
ID=1mA,VDS=10V
2.0
3.0
4.0
V
Source-Drain Di Forward Voltage
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
V
SD
IS=110A（TBD）,VGS=0V
―
―
1.5
V
Total Gate Charge
ゲート全電荷量
Q
g
（TBD）
VDD=48V,VGS=10V,ID=110A
―
94
―
ｎC
Gate to Source Charge
ゲート・ソース電荷量
Q
gs
―
22
―
Gate to Drain Charge
ゲート・ドレイン電荷量
Q
gd
―
27
―
Input Capacitance
入力容量
C
iss
（TBD）
VDS=25V,VGS=0V,ｆ＝1MHz
―
5630
―
pF
Reverse Transfer Capacitance
帰還容量
C
rss
―
230
―
Output Capacitance
出力容量
C
oss
―
580
―
Turn-on delay time
ターンオン遅延時間
td
(on)
（TBD）
ID=55A,VDD=30V,RG=150Ω,
VGS(+)=10V,VGS(-)=0V,L=100μH
―
460
―
ns
Rise time
上昇時間
tr
―
330
―
Turn-off delay time
ターンオフ遅延時間
td
(off)
―
1710
―
Fall time
降下時間
tf
―
290
―
Source-Drain Diode Reverse Recovery Time
ソース・ドレイン間ダイオード逆回復時間
t
rr
（TBD）
IF=110A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
―
37
―
ns
Source-Drain Diode Reverse Recovery Charge
ソース・ドレイン間ダイオード逆回復電荷量
Q
rr
―
43
―
nC
2.2 THERMAL CHARACTERISTICS
Item
項目
Symbol
記号
Conditions
条件
Min.
最小値
Typ.
標準値
Max.
最大値
Unit
単位
Thermal Resistance
熱抵抗
R
th(j-c)
Junction to Case
接合部・ケース間
―
―
0.97
℃/W
R
th(j-l)
Junction to Lead
接合部・リード間
―
―
1.41
Junction to Lead ,
With insulating sheet,Thickness 0.3mm,
Thermal conductivity 3.9W/mK
接合部・リード間(絶縁シート),厚さ 0.3mm,
熱伝導率 3.9W/mK
―
―
2.16
Tentative