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Cathode mark
カソードマーク
Type No.
品名略号
5.0
2.0
2.5
①
②
K7
00
Date code
ロット記号（例）
① ②
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D1FK70
接合容量
Junction Capacitance
１００
１
１０
1
７００１００１０
f
＝１MHz
Tl＝２５℃
TYP
１
０
０．１
１
０
０．５ １ １．５ ２ ２．５ ３
順
方向特性
Forward Voltage
Tl＝１５０℃（MAX）
T
l＝１５０℃（TYP）
T
l＝ ２５℃（MAX）
T
l＝ ２５℃（TYP）
Pulse measurement
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
１．５
０
０．５
１
０ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８ １ １．２ １．４
T
j＝１５０℃
D＝tp/T
T
t
p
０
I
O
DCDC
D＝０．８
０．５
０．３
０
．２
０．１
０．０５
SIN
DC
D＝０．８
０．５
０．３
０
．２
０．１
０．０５
SIN
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
０
５
１０
１５
２０
２５
３０
１ １００１０
１cycle
IFSM
１
０ms
０
１
０ms
Sine wave
Non-repetitive
T
j＝２５℃
ディレーティングカーブ
Ta-Io
Derating Curve Ta-Io
０
０．２
０．４
０．６
０．８
１
１．２
１．４
０ ２０ ４０
８０ １００ １２０ １４０
１６０６０
DC
D＝０．８
０．５
SIN
０．３
０
．２
０．１
０．０５
DC
D＝０．８
０．５
SIN
０．３
０
．２
０．１
０．０５
ディレーティングカーブ
Ta-Io
Derating Curve Ta-Io
０．６
０
１
０．８
０．４
０．２
０ ２０ ４０ ６０
８０ １００ １２０ １４０
１６０
DC
D
＝０．８
０．５
SIN
０．３
０．２
０．１
０．０５
DC
D
＝０．８
０．５
SIN
０．３
０．２
０．１
０．０５
Forward Current IF 〔A〕
Forward Voltage VF 〔V〕
Forward Power Dissipation PF 〔W〕
Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Number of Cycles 〔cycle〕
Peak Surge Forward Current IFSM 〔A〕
Reverse Voltage VR 〔V〕
Junction Capacitance Cj 〔pF〕
Ambient Temperature Ta 〔℃〕
Average Rectified Forward Current
IO 〔A〕
Ambient Temperature Ta 〔℃〕
Average Rectified Forward Current
IO 〔A〕
D＝tp/T
VR＝VRM
T
tp
０
０
IO
VR
D＝tp/T
VR＝VR
M
T
tp
０
０
IO
VR
On alumina substrate
Soldering land ２mm
Conductor layer 20μ
S
ubstrate thickness 0.64
t
On glass-epoxy substrate
S
oldering land ２mm
C
onductor layer 35μ


