Twin Diode
■外観図
OUTLINE
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体��品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specication “Marking,
Terminal Connection”.
（
J534-1
）
148
S1NAD80
800V 3A
面実装デバイス アレイ型
Surface Mounting Device Diode Array
Package
：
1NA
Unit : mm
Weight : 0.29g（typ.）
Date code
極性記号
Terminal direction
品名略号
Type No.
クラス
Class
管理番号（例）
Control No.
AD 80
A K
③
②
④
①
014N
①
②
④
③
6.8
2.6
10
ロット記号（例）
■定格表
RATINGS
���
℃
V
A
A
A
2
s
V
μA
℃/W
項 目
Item
記号
Symbol
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz 正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装
50Hz sine wave, Resistance load,
On glass-epoxy substrate
Tl = 102℃
Ta = 31℃
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間，プリント基板実装
Junction to Lead, On glass-epoxy substrate
接合部・周囲間，プリント基板実装
Junction to Ambient, On glass-epoxy substrate
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF = 0.75A,
V
R = 800V,
MAX
1.05
MAX
10
MAX
15
MAX
84
−55∼150
150
800
3
1.5
110
60
電流二乗時間積
Current Squared Time
1ms≦t＜10ms，Tj=25℃
I
2
t
*
1
*
1：銅箔パターン101
mm
2
Copper soldering pad Area 101
mm
2
条 件
Conditions
品 名
Type No.
単位
Unit
S1NAD80
θjl
θja
特 長
• SMD
• ツイン
• 耐湿性に優れ高信頼性
• SMD
• Twin-Di
•
High-Reliability
Feature
■特性図
CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。
＊
50Hz sine wave is used for measurements.
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊
Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
（
J534-1
）
149
SMD Twin
S1NAD80
Copper layer : 35μ
Copper layer : 35μ