Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
■外観図　
OUTLINE
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specication “Marking,
Terminal Connection”.
■定格表　
RATINGS
（
J534-1
）
100
D15XB100
1000V 15A
• 薄型 S
I
P パッケージ
• UL E142422
• 大電流容量
•
高耐圧・高
I
FSM
• 高放熱伝導性
• Thin-S
I
P
• UL E142422
• Large
I
o
•
High Voltage・Large
I
FSM
• High Thermal Radiation
Feature
特 長
θjc
θjl
θja
D15XB100
単位
Unit
−55∼150
MAX
1.10
MAX
10
MAX
1.2
MAX
5
MAX
23
℃
℃
V
A
A
kV
N・m
V
μA
℃/W
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tc = 25℃／unless otherwise specified）
項  目
Item
記号
Symbol
条 件
Conditions
品 名
Type No.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
Vdis
TOR
V
F
IR
フィン付き
With heatsink
フィンなし
Without heatsink
パルス測定, １素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定, １素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間，フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・周囲間，フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
IF=7.5A,
V
R=VRM,
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（
指定のない場合
Tc = 25℃／unless otherwise specified）
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
Tc = 110℃
Ta = 25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended torque : 0.5 N・m）
150
 
15
3.1
200
2.5
0.8
1000
Unit : mm
Weight : 7.1g（typ.）
Package
：
5S
① ③ ④②
＋
∼
∼
−
4.6
① ③ ④②
+
−
∼ ∼
D15XB100
0264
管理番号（例）
Control No.
品名
Type No.
30
20
17.5
ロット記号（例）
Date code
■特性図　
CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。
＊
50Hz sine wave is used for measurements.
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
　Typical は統計的な実力を表しています。
＊
Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
（
J534-1
）
101
Thin S
I
P UL Bridge
D15XB100
Forward Voltage VF〔V〕
Forward Current IF〔A〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Power Dissipation PF〔W〕
Number of Cycles
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
0 0.5 2 2.51 1.5
35
20
15
10
5
30
25
0
0 5 10 15
200
250
50
150
100
1 2 20 505 10 100
20
15
10
0
5
2
4
3
1
0
0 40 16080 120
1
10
100
0.1
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Tc=25℃
Tc=150℃
non
-
repetitive
Tj=25℃
〔 〕
1cycle
IFSM
10ms 10ms
sine wave
0
sine wave
Tj=150℃
〔 〕
〔
Pulse measurement
per diode
TYP
〔
sine wave
R-load
free in air
heatsink
Tc
Tc
sine wave
R-load
with heatsink