Package：2F
7.0
2.8
4.0
①
②
① ②
7.6
T2D
14
00
00
Cathode mark
カソードマーク
ロット記号（例）
Type No.
品名略号
Date code
Control No.
管理番号（例）
PowerClamper
ST02D-140F2
140V200W
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（
指定のない場合は
Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
Unit：mm
■外観図 OUTLINE
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（
指定のない場合は
Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
特長
煙パワーツェナーダイオードと
FRD
を複合
煙面実装
煙スナバ回路用途
Feature
煙 PowerZenerDiodewithFRD
煙 SMD
煙 Applicationforsnubbercircuit
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（
U180
〈
2012.06
〉）
単位
Unit
DiZD
条 件
Conditions
記号
Symbol
項 目
Item
℃－40～150Tstg
保存温度
StorageTemperature
℃150Tj
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
W─200
10/1000μs非繰り返し ＊
10/1000
µs
Non-repetitive ＊
P
RSM
せん頭サージ逆電力
Peaksurgereversepower
A─1.0
10/1000μs非繰り返し ＊
10/1000
µs
Non-repetitive ＊
I
RSM
せん頭サージ逆電流
Peaksurgereversecurrent
V600120V
RM
連続印加電圧
Maximum ReverseVoltage
V
─
MIN
130
MAX
160
I
R
＝1mAV
BR
動作開始電圧
MovementStartVoltage
V
─MAX
200Ipp=1.0AV
CL
制限電圧
ClampingVoltage
μA
─MAX
5V
R
＝120V
I
R
漏れ電流
LeakageCurrent
MAX
5
─
V
R
＝600V
ns
MAX
500
─
I
F
/I
R
＝0.1A/0.3Atrr
逆回復時間
ReverseRecoveryTime
℃/W
MAX
24
接合部・リード間
Junctiontolead
θjl
熱抵抗
ThermalResistance
MAX
120
接合部・周囲間，プリント基板実装
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate
θja
MAX
90
接合部・周囲間，アルミナ基板実装
Junctiontoambient,Onaluminasubstrate
＊波形 10/1000us exp波
＊Waveform10/1000usexponentialwave
Time〔μs〕
０ １０ １０００
※Ipp定義
Ipp Definition
Current〔A〕
Ipp
Ipp
２
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
ブレークダウン電圧−接合部温度
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
−４０
０４０１５０１２０８０
Junction Temperature Tj〔℃〕
Breakdown Voltage VBR〔V〕
１
００
１
６０
１２０
１８０
１４０
２
００
I
R
＝1mA
TYP
逆電流−接合部温度
Reverse Current vs Junction Temperature
１
１０
０.００１
０.１
０.０１
２５ ７５ １００ １５０１２５
Junction Temperature Tj〔℃〕
Reverse Current
I
R
〔μA〕
５０
V
R
＝１２０V
TYP
逆電流−接合部温度
Reverse Current vs Junction Temperature
１０
１００
０.００１
０.１
１
０
.０１
２
５ ７５ １００ １５０１２５
Junction Temperature Tj〔℃���
Reverse Current
I
R
〔μA〕
５
０
せん頭サージ逆電力
P
eak Surge Reverse Power
０.１ １００００１００ １０００１０１
１０
１
０.１
１００
０.０１
Pulse Width tp〔μs〕
Peak Surge Reverse Power PRSM〔kW〕
VCL
PRSM=IP ×VCL
IP/2
I
P
tp
接合容量 - 周波数
J
unction Capacitance vs Frequency
１００
１
１０
１
１０ １００ １０００
Frequency f 〔kHz〕
Junction Capacitance Cj〔pF〕
TYP
００VV
０V
４４０V０V４０V
接合容量 - 印加電圧
Junction Capacitance vs Applied Voltage
１００
１
１０
１ １０ ４０
Applied Voltage VD 〔V〕
Junction Capacitance Cj〔pF〕
f=１００kHz
osc=２０mV
TYP
接合容量 - 印加電圧
Junction Capacitance vs Applied Voltage
１００
１
１０
１ １０ ５０
Applied Voltage VD 〔V〕
Junction Capacitance Cj〔pF〕
f=１００kHz
osc=２０mV
TYP
接合容量 - 周波数
J
unction Capacitance vs Frequency
１００
１
１０
１ １０ １００ １０００
Frequency f 〔kHz〕
Junction Capacitance Cj〔pF〕
TYP
００VV
０V
５５０V０V５０V
test
test
V
R
＝６００V
TYP
test
testtesttest
test
test
ST02D-140F2
＊Sinewaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（
U180
〈
2012.06
〉）