Twin Diode
■外観図
OUTLINE
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specication “Marking,
Terminal Connection”.
特 長
（
J534-1
）
152
DF15VD60
600V 15A
面実装デバイス アレイ型
Surface Mounting Device Diode Array
Package
：
STO-220
Unit : mm
Weight : 1.5g（typ.）
10.2
13.2
4.7
管理番号（例）
Control No.
ロット記号（例）
Date code
品名略号
Type No.
極性
Polarity
15VD60
0264
①
① ③④
④
②
② ③
＋
∼
−
∼
■定格表
RATINGS
IO
DF15VD60
単位
Unit
℃
℃
V
V
μA
℃/W
項 目
Item
記号
Symbol
条 件
Conditions
品 名
Type No.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
VF
IR
θjc
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj= 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF =7.5A,
V
R =VRM,
接合部・ケース間
Junction to Case
−40∼150
150
600
MAX
1.05
MAX
10
MAX
1.6
50Hz 正弦波，抵抗負荷，１素子当たりの出力電流平均値Io/2,
Tc=127℃，※単相ブリッジ構成
50Hz sine wave, Resistance load, Rating for each diode Io/2,
Tc=127℃, ※at: Bridge
Tstg
Tj
VRM
IFSM
A
A190
15
• SMD
• ツイン
• 耐湿性に優れ高信頼性
• SMD
• Twin-Di
•
High-Reliability
Feature
