安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.
SS82C-SS810C
SMC Schottky Barrier Rectifier Diode 肖特基势垒整流二极管
■Features 特点
Low forward voltage drop 低正向压降
High current capability 高电流能力
Surface mount device 表面贴装器件
Case 封装:SMC(DO-214AB)
■Maximum Rating 最大额定值
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
SS
82C
SS
83C
SS
84C
SS
85C
SS
86C
SS
88C
SS
89C
SS
810C
Unit
单位
Marking 印字
SS82
SS83
SS84
SS85
SS86
SS88
SS89
SS810
Peak Reverse Voltage 反向峰值电压
V
RRM
20
30
40
50
60
80
90
100
V
DC Reverse Voltage 直流反向电压
V
R
20
30
40
50
60
80
90
100
V
RMS Reverse Voltage
反向电压均方根值
V
R(RMS)
14
21
28
35
42
56
63
70
V
Forward Rectified Current 正向整流电流
I
F
8
A
Peak Surge Current 峰值浪涌电流
I
FSM
175
A
Thermal Resistance J-A
结到环境热阻
R
θJA
10
℃/W
Junction Temperature
结温
T
J
150
℃
Storage Temperature 储藏温度
T
stg
-65to+150℃
℃
■Electrical Characteristics 电特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol 符号
SS82C-SS84C
SS85C-SS86C
SS88C-SS810C
Unit 单位
Condition 条件
Forward Voltage
正向电压
V
F
0.55
0.70
0.85
V
I
F
=8A
Reverse Current
反向电流
I
R
(25℃)
(100℃)
0.1
5
0.02
2
mA
V
R
=V
RRM
Diode Capacitance
二极管电容
C
D
380
pF
V
R
=4V,
f=1MHz
