LDI55-ADEEN
LDI55-ADEEN
Low Dropout Positive Adjustable Voltage Regulators
Einstellbare Low-Dropout Positive Spannungsregler
V
IN
= 50 V
V
OUT
= 1.3V ... 15 V
Tol. = ± 2%
I
OUT
= 1 A
T
jmax
= 150°C
Version 2024-04-08
ESOP-8
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Type / Typ
HS Code 85423990
Typical Applications
High efficiency linear regulators,
Active SCSI termination regulator,
Post regulators for switch mode
DC-DC converters,
Battery backed-up regulated supply
Electricity meters / Smart-Meters
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Hocheffiziente Linearregler
Aktive SCSI-Abschluss-Regler
Ausgangsregler für getaktete
Gleichstromwandler
Batteriegestützte Spannungsversorgung
Elektronische Stromzähler
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
Low Dropout Voltage (LDO):
150 mV at 150 mA output current
On/Off function (EN)
Integrated heat pad – Low R
th
Low power consumption
Adjustable output voltage
Thermal Overload Protection
Short circuit protection function
Over current protection
Compliant to RoHS (w/o exemp.),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Niedriger Spannungsabfall (LDO):
150 mV bei 150 mA Ausgangsstom
Ein/Aus-Funktion (EN)
Integrierte Kühlfläche – Niedriger R
th
Energieeffizient
Einstellbare Ausgangsspannung:
Thermische Überlastsicherung
Kurzschlussschutzfunktion
Überstromschutz
Konform zu RoHS (ohne Ausn.),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 4000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.039 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/4s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 3
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Input voltage – Eingangsspannung V
IN
50.0 V
Output voltage – Ausgangsspannung V
OUT
15.0 V
Output current – Ausgangsstrom I
OUT
1 A
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
Internally limited
Operating temperature – Betriebstemperatur T
op
-40 ... +85°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
-40 ... +150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-40 ... +150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Halogen
FREE
1
3
4
5
6
7
8
2
GND
V
IN
V
O UT
GND
EN FB
1
2
3
54
6
7
8
GND
GND
GND
LDI55-ADEEN
Characteristics
1
) Kennwerte
1
)
Min. Typ. Max.
Output voltage accuracy – Genauigkeit der Ausgangsspannung
I
OUT
= 10 mΑ V
IN
= V
OUT
+ 1.0V V
OUT
V
OUT
-2% V
OUT
V
OUT
+2%
Output current – Ausgangsstrom
V
IN
= V
OUT
+ 1 V I
OUT
–
– 1 A
Input voltage
Eingangsspannung
V
IN
3 V – 50 V
Line regulation – Betriebsspannungsdurchgriff
I
OUT
= 1 mΑ 2.5V ≤ V
IN
≤ 18 V
∆ V
OUT,Line
/
(∆ V
IN
∙ V
OUT
)
–
4 mV 15 mV
Load regulation – Lastregelung
V
IN
= V
OUT
+ 1.0V 1mA ≤ I
OUT
≤ 300 mΑ
∆ V
OUT, Load
/
(∆ V
IN
∙ V
OUT
)
–
4 mV 10 mV
Quiescent current – Ruhestrom
V
IN
= V
OUT
+ 1.0V no load I
Q
– 25 µA –
Shutdown Current – Eingangsstrom nach Abschalten
V
EN
< V
ENL
I
INL
– 0.1 µA –
EN input voltage – EN Eingangsspannung
Start up – Einschalten
Shut down – Ausschalten
V
ENH
V
ENL
1.0 V
–
–
V
IN
0.7 V
Dropout voltage – Spannungsabfall
2
)
I
OUT
= 15 mΑ
I
OUT
= 150 mΑ
I
OUT
= 1 Α
V
DO
–
15 mV
150 mV
1.5 V
–
Short-circuit current – Kurzschluss-Strom
V
IN
≤ 17 V
V
IN
> 17 V
V
OUT
= 0 V
(short)
I
SHORT
–
1.5
0.6
–
Over current protection – Überstromschutz
V
IN
- V
OUT
= 1 V I
limit
– 1.1 A –
Ripple Rejection – Störspannungsunterdrückung
V
IN
= 12 V V
OUT
= 5 V
I
OUT
= 10 mΑ
f = 1 kHz V
RR
– 65 dB –
Thermal overload protection – Thermische Überlastsicherung
I
OUT
= 1 mA V
IN
= V
OUT
+ 1 V T
SD
– 150 °C –
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
3
) R
thC
– 43 K/W –
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
4
) R
thA
– 85 K/W –
1 T
j
= 25°C & I
OUT
= 10mA, V
IN
= V
OUT
+ 2V
Unless otherwise specified – Wenn nicht anders angegeben
2 V
D
= V
IN1
– (V
OUT
x 0.98)
3 Case designates the metal base pad – Gehäuse ist die metallische Bodenfläche
4 Assembled on recommended pad layout, refer to Fig. 2 – Montiert auf das empfohlene Pad-Layout, siehe Fig. 2
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG