安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.
SS215-SS220
SMB Schottky Barrier Rectifier Diode 肖特基势垒整流二极管
■Features 特点
Low forward voltage drop 低正向压降
High current capability 高电流能力
Surface mount device 表面贴装器件
Case 封装:SMB(DO-214AA)
■Maximum Rating 最大额定值
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol
符号
SS215
SS220
Unit
单位
Peak Reverse Voltage
反向峰值电压
V
RRM
150
200
V
DC Reverse Voltage
直流反向电压
V
R
150
200
V
RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值
V
R(RMS)
105
140
V
Forward Rectified Current
正向整流电流
I
F
2
A
Peak Surge Current 峰值浪涌电流
I
FSM
50
A
Thermal Resistance J-A
结到环境热阻
R
θJA
55
℃/W
Junction Temperature 结温
T
J
150
℃
Storage Temperature 储藏温度
T
stg
-65to+150℃
℃
■
Electrical Characteristics 电特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol 符号
SS215
SS220
Unit 单位
Condition 条件
Forward Voltage 正向电压
V
F
0.92
V
I
F
=2A
Reverse Current 反向电流
I
R
(25℃)
(100℃)
0.02
2
mA
V
R
=V
RRM
Diode Capacitance
二极管电容
C
D
170
pF
V
R
=4V,f=1MHz
