ABS20D ... ABS20M
ABS20D ... ABS20M
SMD Single Phase Bridge Rectifier
SMD Einphasen-Brückengleichrichter
I
FAV
= 2 A
V
F
< 1.1 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 200 ... 1000 V
I
FSM
= 55/60 A
t
rr
~ 1500 ns
Version 2024-02-01
ABS
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Type
Typ
HS Code 85411000
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification
Power Supplies
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung
Stromversorgungen
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
4 mm pitch for high creepage
and clearance
Compliant to RoHS (exemp. 7a),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheit
4 mm Raster für große
Luft- und Kriechstrecken
Konform zu RoHS (Ausn. 7a),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Maximum alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
3
)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
4
)
ABS20D 140 200
ABS20G 280 400
ABS20J 420 600
ABS20K 560 800
ABS20M 700 1000
Max. rectified output current – Dauergrenzstrom am Brückenausgang I
FAV
2.0 A
5
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz T
A
= 50°C I
FRM
12 A
5
)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
55 A
60 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i
2
t 14.9 A
2
s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V
RRM
Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen V
RRM
nicht überschreiten
4 Valid per diode – Gültig pro Diode
5 Mounted on P.C. Board with 250 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 250 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Halogen
FREE
ABS20D ... ABS20M
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
T
j
= 25°C I
F
= 2.0 A V
F
< 1.1 V
1
)
Leakage current – Sperrstrom T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
I
R
< 5 µA
1
)
Reverse recovery time – Sperrverzug I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A t
rr
typ. 1500 ns
1
)
Typical junction capacitance �� Typische Sperrschichtkapazität V
R
= 4 V C
j
23 pF
1
)
Typical thermal resistance junction to ambient (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
R
thA
35 K/W
2
)
Typical thermal resistance junction to terminal (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss (pro Bauteil)
R
thT
25 K/W
Dimensions
Maße
[mm]
Type
Typ
Recommended
protective resistance
Empfohlener
Schutzwiderstand
R
t
[Ω]
3
)
Admissible load
capacitor at R
t
Zulässiger Lade-
kondensator mit R
t
C
L
[µF]
4
)
ABS20D 4 1250
ABS20G 8 625
ABS20J 11 455
ABS20K 15 333
ABS20M 19 263
1250
Disclaimer: See
data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe
Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Mounted on P.C. Board with 250 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 250 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 R
t
= V
RRM
/ I
FSM
R
t
is the equivalent resistance of any protective element which ensures that I
FSM
is not exceeded
R
t
ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von I
FSM
verhindert
4 C
L
= 5 ms / R
t
If the R
t
C
L
time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C
L
can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, I
FSM
occurs as a single pulse only!
Falls die R
t
C
L
Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann C
L
innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. I
FSM
tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
R
t
C
L
~
~
+
_