LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
SMD Small Signal Switching Diodes
SMD Kleinsignal-Schaltdioden
I
FAV
= 150...300 mA
V
F
< 0.62...1.2 V
T
jmax
= 175°C
V
RRM
= 50...100 V
I
FSM
= 2...4 A
t
rr
< 4 ns
Version 2023-08-24
~ SOD-80C
Glass MiniMELF
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Cathode band only
HS Code 85411000
Typical Applications
Signal processing
High-speed switching
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ/AEC-Q101 qualified: not
available. Use instead 1N4148W-AQ
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung
Schnelles Schalten
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ/AEC-Q101 qualifiziert: nicht
erhältlich. Alternative: 1N4148W-AQ
1
)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS (w/o exemp.),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS (ohne Ausn.),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 2500 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.04 g Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
Q-MiniMELF
Q-MicroMELF
SOD-123F
SOD-323F
= 1N4148 1N4448
= LS4148 LS4448
= MCL4148 MCL4448
= 1N4148W 1N4448W
= 1N4148WS 1N4448WS
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
LL4148/-Q
LL4448
LL4150 LL4151
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
DC I
FAV
150 mA
3
) 300 mA
3
) 200 mA
3
)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom I
FRM
500 mA
3
) 600 mA
3
) 500 mA
3
)
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
= 1 µs I
FSM
2000 mA 4000 mA 2000 mA
Reverse voltage – Sperrspannung V
R
75 V 50 V 50 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
100 V 50 V 75 V
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
P
tot
500 mW
3
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminals
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
Characteristics Kennwerte
LL4148/
-Q
LL4150 LL4151 LL4448
Forward voltage
Durchlass-Spannung
T
j
= 25°C I
F
=
5 mA
10 mA
50 mA
100 mA
200 mA
V
F
< 1.0 V
< 1.2 V
< 1.0 V
0.62...0.72 V
< 1.0 V
Leakage current
Sperrstrom T
j
= 25°C V
R
=
20 V
50 V
75 V
I
R
< 25 nA
< 5 µA
< 100 nA
< 50 nA
< 25 nA
< 5 µA
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 150°C V
R
=
20 V
50 V
I
R
< 50 µA
< 100 µA
< 50 µA
< 50 µA
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz C
T
typ. 4 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
t
rr
< 4 ns
1
)
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
300 K/W
2
)
Dimensions - Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 I
F
= 10 mA through/über I
R
= 10 mA to/auf I
R
= 1 mA
2 Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminals
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
2
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
2
[°C]
T
A
150100
50
0