LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
SMD Small Signal Switching Diodes
SMD Kleinsignal-Schaltdioden
I
FAV
= 150...300 mA
V
F
< 0.62...1.2 V
T
jmax
= 175°C
V
RRM
= 50...100 V
I
FSM
= 2...4 A
t
rr
< 4 ns
Version 2023-08-24
~ SOD-80C
Glass MiniMELF
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Cathode band only
HS Code 85411000
Typical Applications
Signal processing
High-speed switching
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ/AEC-Q101 qualified: not
available. Use instead 1N4148W-AQ
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung
Schnelles Schalten
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ/AEC-Q101 qualifiziert: nicht
erhältlich. Alternative: 1N4148W-AQ
1
)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS (w/o exemp.),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS (ohne Ausn.),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 2500 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.04 g Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
Q-MiniMELF
Q-MicroMELF
SOD-123F
SOD-323F
= 1N4148 1N4448
= LS4148 LS4448
= MCL4148 MCL4448
= 1N4148W 1N4448W
= 1N4148WS 1N4448WS
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
LL4148/-Q
LL4448
LL4150 LL4151
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
DC I
FAV
150 mA
3
) 300 mA
3
) 200 mA
3
)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom I
FRM
500 mA
3
) 600 mA
3
) 500 mA
3
)
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
= 1 µs I
FSM
2000 mA 4000 mA 2000 mA
Reverse voltage – Sperrspannung V
R
75 V 50 V 50 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
100 V 50 V 75 V
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
P
tot
500 mW
3
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminals
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1