SBT1050 ... SBT10100
SBT1050 ... SBT10100
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Schottky-Gleichrichterdioden
I
FAV
= 10 A
V
F1
< 0.55 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 20...100 V
I
FSM1
= 135/150 A
Version 2024-01-22
TO-220AC
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Type (no suffix)/Typ (kein Suffix)
HS Code 85411000
Typical Applications
Output Rectification in DC/DC Con-
verters and Power Supplies
Polarity Protection
Free-wheeling diodes
Commercial / Industrial grade
1
)
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified
1
)
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung in DC/DC-
Wandlern und Netzteilen
Verpolschutz
Freilaufdioden
Standardausführung
1
)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert
1
)
Features
Low forward voltage drop
High power dissipation
Compliant to RoHS (exemp. 7a),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Niedrige Fluss-Spannung
Hohe Leistungsfähigkeit
Konform zu RoHS (Ausn. 7a),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Packed in tubes/cardboards 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons
Weight approx. 1.8 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
SBT1050 50 50
SBT1060 60 60
SBT1090 90 90
SBT10100 100 100
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
T
C
= 125°C
1
) I
FAV
10 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz T
C
= 125°C
3
) I
FRM
30 A
Peak forward surge current
(half sine-wave)
Stoßstrom in Fluss-Richtung
(Sinus-Halbwelle)
SBT1020 ... SBT1060
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
135 A
150 A
SBT1090 ... SBT10100
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
115 A
125 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i
2
t 80 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
3
1
4
SBT1050 ... SBT10100
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
V
F
[V] @ I
F
[A] @ T
j
V
F
[V] @ I
F
[A] @ T
j
C
j
[pF] @ V
R
[V]
SBT1020 ... SBT1045 < 0.48 5 25°C < 0.55 10 25°C typ. 500 4
SBT1050, SBT1060 < 0.63 5 25°C < 0.70 10 25°C typ. 500 4
SBT1090, SBT10100 < 0.78 5 25°C < 0.85 10 25°C typ. 300 4
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
R
= V
RRM
I
R
< 300 µA
typ. 7 mA
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
R
thC
< 3 K/W
1
)
Dimensions – Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current vs. temp. of the case
in Abh. v. d. Temp. Des GehäusesZul. Richtstrom
[°C]
T
C
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
SBT1020...SBT1045
SBT1050, SBT1060
SBT1080, SBT10100
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0
V
F
0.4 0.6
[V]
1.0