SICW20C120
SICW20C120
Silicon Carbide Schottky Diodes
Siliziumkarbid Schottky-Dioden
I
FAV
= 2 x 10 A
V
F
< 1.8 V
T
jmax
= 175°C
V
RRM
= 1200 V
I
FSM
= 80/95 A
Q
C
~ 41 nC
Version 2023-06-07
~TO-247
~ TO-3P
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Type/Typ
HS Code 85411000
Typical Application
Rectification of high frequencies
High efficient switching stages
Power Factor Correction Diodes
Free-wheeling diodes for inverters
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Leistungsfaktorkorrektur-Dioden
Freilaufdioden für Umrichter
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
Dual diodes
Low capacitive charge
Extremely fast switching
High reverse voltage
High power dissipation
Compliant to RoHS (exemp. 7a),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Doppeldiode
Niedrige kapazitive Ladung
Extrem schnelles Schalten
Hohe Sperrspannung
Hohe Leistungsfähigkeit
Konform zu RoHS (Ausn. 7a),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Packed in Tubes 30 Verpackt in Stangen
Weight approx. 6 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
2
) Kennwerte
2
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
SICW20C120 1200 1200
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
T
C
= 140°C
1
) I
FAV
20 A
2
)
T
C
= 140°C
3
) I
FAV
10 A
3
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
T
C
= 140°C
3
) I
FRM
15 A
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
80 A
95 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
4-48 UNF
M3
10 ± 10% lb.in.
1.1 ± 10% Nm
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
1 Measured at metal backside – Gemessen an der metallischen Rückseite
2 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
3 Per diode − Pro Diode
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
4
1
4
3
2
SICW20C120
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
V
F
[V] @ I
F
= 10 A
T
j
= 25°C
V
F
[V] @ I
F
= 10 A
T
j
= 175°C
I
R
[µA] @ V
R
= V
RRM
T
j
= 25°C
I
R
[µA] @ V
R
= V
RRM
T
j
= 175°C
SICW20C120
typ. 1.5
< 1.8
typ. 2.0
< 2.3
typ. 8
< 100
typ. 40
< 500
Total capacitive charge
Gesamte kapazitive Ladung
T
j
= 25°C
V
R
= 800 V, I
F
= 10 A
di/dt = -200 A/µs
Q
C
typ. 41 nC
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V
V
R
= 400 V
V
R
= 800 V
C
j
700 pF
50 pF
41 pF
Typical thermal resistance junction to case (per device, parallel operation)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil, Parallelbetrieb)
R
thC
0.8 K/W
1
)
Typical thermal resistance junction to case (per diode)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Diode)
R
thC
1.6 K/W
1
)
Dimensions - Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Measured at metal backside – Gemessen an der metallischen Rückseite
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG