安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.
US1AL-US1ML
SOD-123FL Super Fast Recovery Diode 特快恢复二极管
■Features 特点
High current capability 高电流能力
Low forward voltage drop 低正向压降
Super Fast Recovery time 特快恢复时间
Surface mount device 表面贴装器件
Case 封装:SOD-123FL
■Maximum Rating 最大额定值
(T
A
=
25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol
符号
US1
AL
US1
BL
US1
DL
US1
GL
US1
JL
US1
KL
US1
ML
Unit
单位
Marking 印字
U1A
U1B
U1D
U1G
U1J
U1K
U1M
Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压
V
RRM
50
100
200
400
600
800
1000
V
DC Reverse Voltage 直流反向电压
V
R
50
100
200
400
600
800
1000
V
RMS Reverse Voltage
反向电压均方根值
V
R(RMS)
35
70
140
280
420
560
700
V
Forward Rectified Current 正向整流电流
I
F
1
A
Peak Surge Current
峰值浪涌电流
I
FSM
30
A
Thermal Resistance J-A
结到环境热阻
R
θJA
80
℃/W
Junction/Storage Temperature
结温
/
储藏温度
T
J,
T
stg
-50to+150
℃
℃
■Electrical Characteristics 电特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
US1AL-US1DL
US1GL
US1JL-US1ML
Unit
单位
Condition
条件
Forward Voltage 正向电压
V
F
1.0
1.3
1.7
V
I
F
=1A
Reverse Current
反向电流
I
R
5(T
A
=25
℃
)
50(T
A
=100
℃
)
µA
V
R
=V
RRM
Reverse Recovery Time
反向恢复时间
Trr
50
75
nS
I
F
=0.5A,I
R
=1A
Irr=0.25A
Junction Capacitance
结电容
C
J
15
pF
V
R
=4V,f=1MHz
