安徽富信半导体科技有限公司

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.

SS8050W

SOT-323 Bipolar Transistor

双极型三极管

▉Features 特点

NPN Power Amplifier

功率放大

▉

Absolute Maximum Ratings

最大额定值

Characteristic 特性参数

Symbol 符号

Rat 额定值

Unit 单位

Collector-Base Voltage 集电极基极电压

V

CBO

40

V

Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压

V

CEO

25

V

Emitter-Base Voltage

发射极基极电压

V

EBO

5

V

Collector Current 集电极电流

I

C

1500

mA

Power dissipation

耗散功率

P

C

(T

a

=25℃)

250

mW

Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻

R

Θ

JA

500

℃/W

Junction and Storage Temperature

结温和储藏温度

T

J

,T

stg

-55to+150℃

■

Device Marking

产品打标

SS8050W=Y1

安徽富信半导体科技有限公司

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.

SS8050W

■

Electrical Characteristics

电特性

(T

A

=

25℃ unless otherwise noted

如无特殊说明，温度为

25

℃

)

Characteristic

特性参数

Symbol

符号

Min

最小值

Type

典型值

Max

最大值

Unit

单位

Collector-Base Breakdown Voltage

集电极基极击穿电压

(I

C

=100uA

，

I

E

=0)

BV

CBO

40

—

—

V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

集电极发射极击穿电压(I

C

=1mA，I

B

=0)

BV

CEO

25

—

—

V

Emitter-Base Breakdown Voltage

发射极基极击穿电压(I

E

=100uA，I

C

=0)

BV

EBO

5

—

—

V

Collector-Base Leakage Current

集电极基极漏电流(V

CB

=40V，I

E

=0)

I

CBO

—

—

100

nA

Collector-Emitter Punch Throng Current

集电极发射极穿透电流(V

CE

=20V，V

BE

=0)

I

CES

—

—

100

nA

Emitter-Base Leakage Current

发射极基极漏电流(V

EB

=5V，I

C

=0)

I

EBO

—

—

100

nA

DC Current Gain

直流电流增益

(V

CE

=1V

，

I

C

=100mA)

H

FE

（1）

120

—

400

DC Current Gain

直流电流增益(V

CE

=1V，I

C

=800mA)

H

FE

（2）

40

—

—

Collector-Emitter Saturation Voltage

集电极发射极饱和压降

(I

C

=800mA，I

B

=80mA)

V

CE(sat)

—

—

0.5

V

Base-Emitter Saturation Voltage

基极发射极饱和压降

(I

C

=800mA，I

B

=80mA)

V

BE(sat)

—

—

1.2

V

Transition Frequency

特征频率(V

CE

=10V，I

C

=50mA)

f

T

100

—

—

MH

Z

Output Capacitance

输出电容

(V

CB

=10V

，

I

E

=0, f=1MH

Z

)

C

ob

—

15

—

pF