安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.
ES1AL-ES1JL
SOD-123FL Super Fast Recovery Diode 超快恢复二极管
■Features 特点
Built-in Strain Relief 内应力释放
Fast Switching Speed 快的开关速度
Super Fast Recovery time 超快恢复时间
Surface Mount Device 表面贴装器件
Case 封装:SOD-123FL
■Maximum Rating 最大额定值
(T
A
=
25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol
符号
ES1
AL
ES1
BL
ES1
CL
ES1
DL
ES1
EL
ES1
GL
ES1
JL
Unit
单位
Repetitive Peak Reverse Voltage
重复峰值反向电压
V
RRM
50
100
150
200
300
400
600
V
DC Reverse Voltage 直流反向电压
V
R
50
100
150
200
300
400
600
V
RMS Reverse Voltage RMS 反向电压
V
R(RMS)
35
70
105
140
210
280
420
V
Forward Rectified Current
正向整流电流
I
F
1
A
Peak Surge Current 峰值浪涌电流
I
FSM
30
A
Thermal Resistance J-A 结到环境热阻
R
θJA
80
℃/W
Junction/Storage Temperature 结温/储藏温度
T
J,
T
stg
-50to+150℃
℃
■
Electrical Characteristics 电特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
ES1AL-ES1DL
ES1EL-ES1GL
ES1JL
Unit
单位
Condition
条件
Forward Voltage 正向电压
V
F
0.95
1.25
1.7
V
I
F
=1A
Reverse Current
反向电流
I
R
5(T
A
=25℃)
500(T
A
=100℃)
µA
V
R
=V
RRM
Reverse Recovery Time
反向恢复时间
Trr
35
nS
I
F
=0.5A,I
R
=1A
Irr=0.25A
Junction Capacitance
结电容
C
J
15
pF
V
R
=4V,f=1MHz
