安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.
MMBD4148
SOT-23 Switching Diode
开关二极管
▉Internal Configuration 内部结构
▉
Features
特点
Characteristic 特性参数
Symbol 符号
Max 最大值
Unit 单位
Power dissipation 耗散功率
PD(Ta=25℃)
225
mW
Forward Current
正向电流
I
F
200
mA
Reverse Voltage 反向电压
V
R
75
V
Junction and Storage Temperature
结温和储藏温度
T
J
,T
stg
-55to+150℃
■
Device Marking
产品打标
MMBD4148=KA2
■Electrical Characteristics 电特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
Min
最小值
Max
最大值
Unit
单位
Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压
(IR=100uA)
V
(BR)
75
—
V
Reverse Leakage Current(VR=20V)
反向漏电流(VR=75V)
IR
—
25
5
nA
µA
Forward Voltage(I
F
=1mA)
正向电压
(I
F
=10mA)
(I
F
=50mA)
(I
F
=150mA)
V
F
—
0.715
0.855
1.0
1.25
V
Diode Capacitance
二极管电容
(V
R
=0V, f=1MHz)
C
T
—
2
pF
Reverse Recovery Time 反向恢复时间
T
rr
—
4
nS
