2N7002A | 2N7002
2N7002A | 2N7002
N-Channel Enhancement Mode FET
N-Kanal FET – Anreicherungstyp
I
D
= 280 mA
R
DS(on)
< 2 Ω | 5 Ω
T
jmax
= 150°C
V
DS
= 60 V
P
tot
= 350 mW
Version 2022-08-19
SOT-23
TO-236
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking Code
2N7002A: 702
2N7002A-AQ: S72
2N7002: 7002
HS Code 85412100
Typical Applications
Signal processing
Drivers
Logic level converter
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung
Treiberstufen
Logikpegelwandler
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifizierung
1
)
Features
Two R
DS(on)
versions
Low on-state resistance
Fast switching times
Available in TO-92 as 2N7000
Compliant to RoHS (w/o exemp.)
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Zwei R
DS(on)
Versionen
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltzeiten
Erhältlich in TO-92 als 2N7000
Konform zu RoHS (ohne Ausn.)
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1/3
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
2N7002A/
-AQ
2N7002
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung V
DS
60 V
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung D open V
GSO
± 30 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
350 mW
3
)
Drain current – Drainstrom DC I
D
280 mA
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom I
DM
1200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm
Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1
2
3
2N7002A | 2N7002
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
I
D
= 10 µA V
(BR)DSS
60 V – –
Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom
V
DS
= 60 V V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V V
GS
= 0 V T
j
= 125°C
I
DSS
– –
1 µA
500 µA
Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom
V
GS
= ±20 V V
DS
= 0 V I
GSS
– – ± 100 nA
Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
V
GS
= V
DS
I
D
= 250 µA V
GS(th)
1 V – 2.5 V
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
V
GS
= 10 V I
D
= 500 mA 2N7002A/-AQ
V
GS
= 5 V I
D
= 50 mA
V
GS
= 5 V I
D
= 50 mA T
j
= 125°C
R
DS(on)
– –
2 Ω
3 Ω
5 Ω
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
V
GS
= 10 V I
D
= 500 mA 2N7002
V
GS
= 5 V I
D
= 50 mA
R
DS(on)
– –
5 Ω
7 Ω
Input Capacitance – Eingangskapazität
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz C
iss
– 50 pF –
Output Capacitance – Ausgangskapazität
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz C
oss
– 25 pF –
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz C
rss
– 5 pF –
Turn-On Time – Einschaltzeit
V
DD
= 30 V, I
D
= 200 mA, V
GS
= 10 V, R
G
= 25 Ω t
on
– – 20 ns
Turn-Off Time – Ausschaltzeit
V
DD
= 30 V, I
D
= 200 mA, V
GS
= 10 V, R
G
= 25 Ω t
off
– – 20 ns
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
350 K/W
1
)
Dimensions – Maße [mm]
2
1 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag je Anschluss
2 Tested with pulses t
p
= 10 µs, duty cycle ≤ 1% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 10 µs, Schaltverhältnis ≤ 1%
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG