安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.
SS8050
SOT-23 Bipolar Transistor
双极型三极管
▉Features 特点
NPN Power Amplifier
功率放大
▉
Absolute Maximum Ratings
��大额定值
Characteristic 特性参数
Symbol 符号
Rat 额定值
Unit 单位
Collector-Base Voltage 集电极基极电压
V
CBO
40
V
Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压
V
CEO
25
V
Emitter-Base Voltage
发射极基极电压
V
EBO
5
V
Collector Current 集电极电流
I
C
1500
mA
Power dissipation
耗散功率
P
C
(T
a
=25℃)
300
mW
Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻
R
Θ
JA
417
℃/W
Junction and Storage Temperature
结温和储藏温度
T
J
,T
stg
-55to+150℃
■
Device Marking
产品打标
H
FE
（1）
120-200(L)
200-350(H)
Marking
Y1
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ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD.
SS8050
■
Electrical Characteristics
电特性
(T
A
=
25℃ unless otherwise noted
如无特殊说明，温度为
25
℃
)
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
Min
最小值
Type
典型值
Max
最大值
Unit
单位
Collector-Base Breakdown Voltage
集电极基极击穿电压
(I
C
=100uA
，
I
E
=0)
BV
CBO
40
—
—
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集电极发射极击穿电压(I
C
=1mA，I
B
=0)
BV
CEO
25
—
—
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
发射极基极击穿电压(I
E
=100uA，I
C
=0)
BV
EBO
5
—
—
V
Collector-Base Leakage Current
集电极基极漏电流(V
CB
=40V，I
E
=0)
I
CBO
—
—
100
nA
Collector-Emitter Punch Throng Current
集电极发射极穿透电流(V
CE
=20V，V
BE
=0)
I
CES
—
—
100
nA
Emitter-Base Leakage Current
发射极基极漏电流(V
EB
=5V，I
C
=0)
I
EBO
—
—
100
nA
DC Current Gain
直流电流增益
(V
CE
=1V
，
I
C
=100mA)
H
FE
（1）
120
—
400
DC Current Gain
直流电流增益(V
CE
=1V，I
C
=1500mA)
H
FE
（2）
40
—
—
Collector-Emitter Saturation Voltage
集电极发射极饱和压降
(I
C
=1500mA，I
B
=150mA)
V
CE(sat)
—
—
0.6
V
Base-Emitter Saturation Voltage
基极发射极饱和压降
(I
C
=1500mA，I
B
=150mA)
V
BE(sat)
—
—
1.2
V
Transition Frequency
特征频率(V
CE
=10V，I
C
=50mA)
f
T
100
—
—
MH
Z
Output Capacitance
输出电容
(V
CB
=10V
，
I
E
=0, f=1MH
Z
)
C
ob
—
13
—
pF