R
版本(Rev.):201806I
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肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
MBR2060
订 货 型 号 Order codes
印 记
Marking
封 装
Package
无卤-条管
Halogen Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen Free-Reel
MBR2060-CA-BR
N/A
N/A
MBR2060
TO-220
MBR2060-FA-BR
N/A
N/A
MBR2060
TO-220HF
MBR2060-S-BR
MBR2060-S-A
MBR2060-S-AR
MBR2060
TO-263
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
IF(AV)
20（2×10） A
VRRM
60 V
Tj
150 ℃
VF(max)
0.65V （@Tj=125℃）
封装 Package
用途
高频开关电源
低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
High frequency switch
power supply
Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
产品特性
共阴结构
低功耗，高效率
良好的高温特性
有过压保护环，高可靠性
环保（RoHS）产品
FEATURES
Common cathode structure
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection，High reliability
RoHS product
TO-22O
订货信息 ORDER MESSAGE
TO-22OHF
TO-263
R
MBR2060
版本(Rev.): 202112A
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绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项 目
Parameter
符 号
Symbol
数 值
Value
单 位
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
60
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
V
DC
60
V
正向平均整流电流
Average forward
current
T
C
=125℃
(TO-220,
TO-263)
T
C
=100℃
(TO-220HF)
整个器件
per device
单 侧
per diode
I
F(AV)
20
10
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
（额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
I
FSM
150
A
最高结温
Maximum junction temperature
T
j
150
℃
储存温度
Storage temperature range
T
STG
-40~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项 目
Parameter
符 号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单 位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220
TO-263
TO-220HF
Rth(j-c)
1.9
1.9
3.5
℃/W
项 目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
I
R
Tj =25℃
V
R
=V
RRM
50
μA
Tj =125℃
50
mA
V
F
Tj =25℃
I
F
=10A
0.64
0.7
V
Tj =125℃
0.58
0.65
V