BZT52C2V4GW ... BZT52C75GW
BZT52C2V4GW ... BZT52C75GW
SMD Planar Zener Diodes
SMD Planar Zener-Dioden
P
tot
= 350 mW
V
Z
= 2.4 V ... 75 V
T
jmax
= 150°C
Version 2022-01-31
SOD-123
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking Code
See table – siehe Tabelle
HS Code 8541100
Typical Applications
Voltage stabilization and regulators
(For overvoltage protection
see TVS diodes SMF series)
Commercial / industrial grade
1
)
Typische Anwendungen
Spannungsstabilisierung und -regler
(Für Überspannungsschutz
siehe TVS-Diodenreihe SMF)
Standardausführung
1
)
Features
Sharp Zener voltage breakdown
Low leakage current
Also available in SOD-323F:
BZT52C series
Compliant to RoHS (w/o exemption),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Scharfer Zenerspannungsabbruch
Niedriger Sperrstrom
Auch erhältlich in SOD-323F:
BZT52C-Reihe
Konform zu RoHS (ohne Ausn.),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Zener voltages see table on next page. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%).
Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite. Andere Toleranzen oder höhere Z-Spannungen auf Anfrage.
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Power dissipation
Verlustleistung
P
tot
350 mW
3
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+125°C
Characteristics Kennwerte
Typ. thermal resistance junction to ambient
Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
R
thA
250 K/W
3
)
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Lötpads je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
BZT52C2V4GW ... BZT52C75GW
Characteristics
(T
j
= 25°C unless otherwise specified)
Kennwerte
(T
j
= 25°C wenn nicht anders angegeben)
Type
Typ
Code Z-voltage range
1
)
Z-Spannungs-Bereich
1
)
I
Z
= 5 mA
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
r
zj
[Ω] at f = 1 kHz
Temp. Coefficient
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
at/bei I
R
Z-current
2
)
Z-Strom
2
)
T
A
= 25°C
BZT52C... V
Z min
[V] V
Z max
[V] I
Z
= 5 mA α
VZ
[10
-4
/°C] V
R
[V] I
R
[µA] I
Zmax
[mA]
BZT52C2V4GW WX
2.28 2.52
< 100 -9...-6
1 50 139
BZT52C2V7GW W1
2.57 2.84
< 100 -9...-6
1 20 123
BZT52C3V0GW W2
2.85 3.15
< 95 -8...-5
1 10 111
BZT52C3V3GW W3
3.14 3.47
< 95 -8...-5
1 5 101
BZT52C3V6GW W4
3.42 3.78
< 90 -8...-5
1 5 93
BZT52C3V9GW W5
3.71 4.10
< 90 -8...-5
1 3 85
BZT52C4V3GW W6
4.09 4.52
< 90 -6...-3
1 3 77
BZT52C4V7GW W7
4.47 4.94
< 80 -5...+2
2 3 71
BZT52C5V1GW W8
4.85 5.36
< 60 -2...+2
2 2 65
BZT52C5V6GW W9
5.32 5.88
< 40 -5...+5
2 1 60
BZT52C6V2GW WA
5.89 6.51
< 10 -3...+6
4 3 54
BZT52C6V8GW WB
6.40 7.20
< 15 +3...+7
4 2
49
BZT52C7V5GW WC
7.10 7.90
< 15 +3...+7
5 1 44
BZT52C8V2GW WD
7.79 8.61
< 15 +8...+7
5 0.7 41
BZT52C9V1GW WE
8.65 9.60
< 15 +3...+9
6 0.5 36
BZT52C10GW WF
9.50 10.50
< 20 +3...+10
7 0.2 33
BZT52C11GW WG
10.45 11.55
< 20 +3...+11
8 0.1 30
BZT52C12GW WH
11.40 12.60
< 25 +3...+11
8 0.1 28
BZT52C13GW WI
12.35 13.65
< 30 +3...+11
8 0.1 26
BZT52C15GW WJ
14.25 15.75
< 30 +3...+11
10.5 0.1 22
BZT52C16GW WK
15.20 16.80
< 40 +3...+11
11 0.1 21
BZT52C18GW WL
17.10 18.90
< 45 +3...+11
12 0.1 19
BZT52C20GW WM
19.00 21.00
< 55 +3...+11
14 0.1 17
BZT52C22GW WN
20.90 23.10
< 55 +4...+12
15 0.1 15
BZT52C24GW WO
22.80 25.20
< 70 +4...+12
16.5 0.1 49
I
Z
= 2 mA 2 mA
BZT52C27GW WP
25.65 28.35
< 80 +4...+12
18.5 0.1 12
BZT52C30GW WQ
28.50 31.50
< 80 +4...+12
21 0.1 11
BZT52C33GW WR
31.35 34.65
< 80 +4...+12
23 0.1 10
BZT52C36GW WS
34.20 37.80
< 90 +4...+12
25 0.1 9
BZT52C39GW WT
37.00 41.00
< 130 +4...+12
27 0.1 9
BZT52C43GW WU
40.85 45.15
< 150 +4...+12
30 0.05 8
BZT52C47GW WV
44.60 49.40
< 170 +4...+12
36 0.1 7
BZT52C51GW X1
48.40 53.60
< 180 +4...+12
39 0.1 7
BZT52C56GW X2
53.20 58.80
< 200 +4...+12
43 0.1 6
BZT52C62GW X3
58.90 65.10
< 225 +4...+12
47 0.1 5
BZT52C68GW X4
64.60 71.40
< 240 +4...+12
52 0.1 5
BZT52C75GW X5
71.25 78.80
< 265 +4...+12
56 0.1 4
1 Tested with pulses (20 ms) – Gemessen mit Impulsen (20 ms)
2 Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Lötpad je Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG