BC846BP ... BC848BP
BC846BP ... BC848BP
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Transistoren
I
C
= 100 mA
h
FE
~ 180/290/520
T
jmax
= 150°C
V
CEO
= 30...65 V
P
tot
= 150 mW
Version 2018-12-17
SOT-883
(DFN1006-3)
1 = B 2 = E 3 = C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
1
)
Features
Miniature package
Bottom side leads
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Miniatur-Bauform
Anschlüsse auf der Unterseite
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC846BP = tbd BC847BP = tbd BC848BP = tbd N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
BC846BP BC847BP BC848BP
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CEO
65 V 45 V 30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open V
CBO
80 V 50 V 30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
6 V 5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
150 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC I
C
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I
CM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at collector terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
0.6
±0.5
Type
Code
0.38
±0.02
0.15
±0.05
0.25
±0.05
0.65
0.325
0.25
±0.05
0.5
±0.05
max 0.05
1.0
±0.5
1
2 3
BC846BP ... BC848BP
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 5 V I
C
= 2 mA h
FE
200 – 450
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA I
B
= 5 mA
V
CEsat
– –
250 mV
600 mV
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
V
CE
= 5 V I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA
V
BE
580 mV
–
–
700 mV
720 mV
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
1
)
V
CB
= 30 V E open
E open, T
j
= 125°C
I
CBO
– –
15 nA
5 µA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz f
T
– 300 MHz –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz C
CBO
– – 6 pF
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität
V
EB
= 0.5 V, I
C
= i
c
= 0, f = 1 MHz C
EBO
– 9 pF –
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
600 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at collector terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG