深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Si semiconductors
2018.06
1
肖特基二极管
/Power Schottky Rectifier
MBR2045CT
●特点： 抗高��性能 高功效 低正向电压 大电流 低功耗 符合 RoHS 规范
●
FEATURES：■HIGH SURGE CAPABILITY ■HIGH EFFICIENCY ■LOW FORWARD VOLTAGE
■HIGH CURRENT CAPABILITY ■LOW POWER LOSS ■RoHS COMPLIANT
●应用：低压高频逆变电路 续流电流 保护电流
●
APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS ■FREE WHEELING
■POLARITY PROTECTION APPLICATIONS
●最大额定值（Tc=25
C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25
C） TO-220/220FP/263
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
单位
UNIT
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
45
V
最大直流阻断电压
Maximum DC Reverse Voltage
V
R
45 V
平均整流输出电流
Average Rectified Output Current
@Tc=125
C
I
F(AV)
20 A
正向峰值浪涌电流
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave
superimposed on rated load
(JEDEC Method)
I
FSM
300
A
最高结温
Maximum Operating Junction
Temperature
Tj 150 ℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg -50-150 ℃
●电特性（Tc=25
C） Electronic Characteristics（Tc=25
C）
参数名称
CHARACTERISTICS
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值
MAX
单位
UNIT
正向压降
Forward Voltage Drop
V
FM
@I
F
=10A,Tc=25
C
0.60
V
@I
F
=10A,Tc=125
C
0.56
@I
F
=20A,Tc=25
C
0.78
@I
F
=20A,Tc=125
C
0.72
反向电流
Peak Reverse Current @ Rated V
R
I
RM
@Tc=25
0.05
mA
@Tc=125
C
30
●热特性 Thermal Characteristics
项目
PARAMETER
符 号
SYMBOL
最大值
VALUE
单 位
UNIT
热阻结-壳
Thermal Resistance Junction-case
Rth
JC
TO-220： 1.3
℃/WTO-220FP：3.5
TO-263： 1.3
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-220 条管装/TUBE PACKING
MBR2045CT TO-220-TU
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
MBR2045CT TO-220FP-TU
TO-263 条管装/TUBE PACKING
MBR2045CT TO-263-TU
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Si semiconductors
2018.06
2
肖特基二��管
/Power Schottky Rectifier
MBR2045CT
IF vs VF
IR vs VR
IF（AV） vs TC
CT vs VR