800V 2A
D2SB60A D2SB80A
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A
2
s
V
μA
℃/W
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tl =25℃／unless otherwise specified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
品名
Type No.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θj l
θj a
50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値， Tj=25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
パルス測定，1素子当りの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定，1素子当りの規格値
Pulse measurement, per diode
IF=1A,
V
R=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（
指定のない場合
Tl =25℃／unless otherwise specified）
MAX
0.95
MAX
10
MAX
10
MAX
47
−40∼150
150
2
1.5
120
60
電流二乗時間積
Current Squared Time
1ms≦t＜10ms Tj= 25℃
I
2
t
Tl=115℃
Ta=25℃
600 800
0.5
±0.1
1
±0.2
1.0
±0.1
1.5
±0.2
2.5
±0.2
11
±0.3
13.5
±0.5
2.5
±0.2
ロット記号（例）
Date code
品名
C2.5
Type No.
① ③ ④ ②
+
−
∼ ∼
20
±0.3
D2SB
60A 8N
3.5
±0.2
① ③ ④ ②
＋
∼ ∼
−
5
±0.2
5
±0.2
5
±0.2
Unit : mm
Weight：2g（typ.）
■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS
70
ブリッジダイオード
Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
D2SB□A
特長
●薄型SIPパッケージ
●高
IFSM
Package：2S
（製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）
（J 514- 6）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
Feature
●Thin-SIP
●Large
IFSM
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J 514- 6）
D2SB□A
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Forward Power Dissipation
順電力損失曲線
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Power Dissipation PF〔W〕
3.6
0
102
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2
2.4
2.8
3.2
2.8
0.4
0.8
1.2
1.6
2.4
〔 〕
sine wave
Tj=150℃
Derating Curve Ta
ー
Io
ディレーティングカーブ Ta
ー
Io
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
0
1
2
40 80 120 1600
Forward Voltage
順方向特性
Forward Voltage VF〔V〕
Forward Current IF〔A〕
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
Tl=150℃
Tl=25℃
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Peak Surge Forward Current Capability
せん頭サージ順電流耐量
Number of Cycles
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
0
50
100
150
2 5 10 201 50 100
soldering land 5mmφ
P.C.B.
on glass-epoxy substrate
〔
〔
sine wave
R-load
free in air
Derating Curve Tl
ー
Io
ディレーティングカーブ Tl
ー
Io
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
0
40 80 120 1600
soldering land 5mmφ
P.C.B.
on glass-epoxy substrate
〔
〔
sine wave
R-load
free in air
〔
〔
sine wave
10ms
0
lcycle
non-repetitive
Tj=25℃
10ms
ＩＦＳＭ
Lead Temperature Tl〔℃〕
〔
Pulse measurement
per diode
TYP
〔
71