KBP202G ... KBP210G
KBP202G ... KBP210G
Single Phase Diode Bridge Rectifier
Einphasen-Dioden Brückengleichrichter
I
FAV
= 2 A
V
F
< 1.1 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 200...1000 V
I
FSM
= 50/55 A
t
rr
~ 1500 ns
Version 2020-10-08
14.5 x 10.4 x 3.5
KBP
Dimensions - Maße [mm]
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade
1
)
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung
1
)
Features
Four diodes in bridge configuration,
Small package
4mm pitch
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheit
Vier Dioden in Brückenschaltung,
Kleines Gehäuse
4mm Raster
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Packed in cardboard trays 500 Verpackt in Einlagekartons
Weight approx. 1.5 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
3
)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
4
)
KBP202G 140 200
KBP204G 280 400
KBP206G 420 600
KBP208G 560 800
KBP210G 700 1000
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
R-load
C-load
T
A
= 50°C
5
) I
FAV
1.2 A
1.0 A
Max. rectified current with forced cooling
Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung
R-load
C-load
T
C
= 100°C I
FAV
2.0 A
1.6 A
Repetitive peak forw. current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz T
A
= 50°C
5
) I
FRM
10 A
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
50 A
55 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i
2
t 12.5 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V
RRM
– Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen V
RRM
nicht überschreiten
4 Valid per diode – Gültig pro Diode
5 Valid, if leads are kept to ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
0.8
±0.05
1.3
±0.1
~ ~
Type
Typ
+
2
±0.2
14.5
±0.25
10.4
±0.2
4 44
14.5
±0.25
0.45
±0.1
3.5
±0.15
_
1
±0.2
KBP202G ... KBP210G
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung T
j
= 25°C I
F
= 2 A V
F
< 1.1 V
1
)
Leakage current – Sperrstrom T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
I
R
< 5 µA
1
)
Reverse recovery time – Sperrverzug I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A t
rr
typ. 1500 ns
1
)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität V
R
= 4 V C
j
25 pF
1
)
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
R
thA
< 40 K/W
2
)
Thermal resistance junction to case (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
R
thC
< 10 K/W
Type
Typ
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
R
t
[Ω]
3
)
Admiss. load capacitor at R
t
Zul. Ladekondensator mit R
t
C
L
[µF]
4
)
KBP202G 4 1250
KBP204G 8 625
KBP206G 12 420
KBP208G 16 310
KBP210G 20 250
5
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept to ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
3 R
t
= V
RRM
/ I
FSM
R
t
is the equivalent resistance of any protective element which ensures that I
FSM
is not exceeded
R
t
ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von I
FSM
verhindert
4 C
L
= 5 ms / R
t
If the R
t
C
L
time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C
L
can be charged mostly in a
single mains period. Hence, I
FSM
occurs as a single pulse only!
Falls die R
t
C
L
Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann C
L
nahezu in einer einzigen
Netzperiode geladen werden. I
FSM
tritt dann nur als Einzelpuls auf!
5 Bridge rectifier configuration, with four single diodes connected together
Brückengleichrichterkonfiguration mit vier Dioden aufgebaut
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
50a-(2a-1.1v)
+
−
~
~
D1 D2
D3 D4
R
t
3)
C
L
4)
5)