SDB13HS, SDB14HS
SDB13HS, SDB14HS
SMD Low Barrier Schottky Rectifier Diodes
SMD Gleichrichterdioden mit niedriger Schottky-Barriere
I
FAV
= 1 A
V
F
< 0.47...0.52 V
T
jmax
= 125°C
V
RRM
= 30...40 V
I
FSM
= 4.4/5 A
Version 2020-08-05
Power SOD-323
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Polarity Protection,
OR-ing circuits
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Verpolschutz
ODER-Schaltungen
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
Very low forward voltage drop
Ultra-small low profile package
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Sehr niedrige Fluss-Spannung
Ultrakleine, flache Bauform
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.005 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type Code
SDB13HS/-AQ
A3
SDB14HS/-AQ
U4
Power dissipation
Verlustleistung
P
tot
600 mW
3
)
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
DC I
FAV
1000 mA
3
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
0.9 A
3
)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
4.4 A
5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
30 V 40 V
Reverse voltage
Sperrspannung
4
) DC V
R
24 V 32 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-40...+125°C
-40...+125°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 36 mm
2
copper pad at the cathode terminal
Montage auf Leiterplatte mit 36 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) am Kathodenanschluss
4 Defined for -AQ parts only, T
j
= 100°C – Nur definiert für -AQ Bauteile, T
j
= 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5
0.2±
0.6
0.2±
1.9
0.2±
1.25
0.2±
Type
Code
0.85
1.4
0.5
0.6
0.15
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Halogen
FREE
SDB13HS, SDB14HS
Characteristics Kennwerte
SDB13HS/
-AQ
SDB14HS/
-AQ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
T
j
= 25°C I
F
=
1 A
0.7 A
V
F
< 0.47
< 0.52
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C V
R
=
5 V
V
RRM
I
R
< 40 µA
< 200 µA
Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapazität V
R
= 10 V f = 1 MHz C
j
30 pF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
170 K/W
1
)
Typical thermal resistance junction to terminal
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
R
thT
30 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 36 mm
2
copper pads at the cathode terminal
Montage auf Leiterplatte mit 36 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) am Kathodenanschluss
2 Valid for the cathode terminal – Gültig für den Kathodenanschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 0.70.50.40.30.20
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
T = 25°C
j
T = 125°C
j
SDB13HS
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 0.70.50.40.30.20
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
T = 25°C
j
T = 125°C
j
SDB14HS
100
10
10
1
10
-1
-2
[mA]
I
R
0
V
RRM
40 60 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 125°C
j
T = 100°C
j
T = 50°C
j
SDB13HS
T = 75°C
j
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0