桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMW4132D

N-channel 30V, 150A, TO-252 Power MOSFET 功率場效應管

▉Features 特點

Low on-resistance 低導通電阻

Maximum DC current capability 最大直流電流能力

Low Gate Charge 低電荷密度

R

DS(ON)

Type2mΩ@VGS=10V

R

DS(ON)

Type4mΩ@VGS=4.5V

▉Applications 應用

Load Switch Application 負載開關應用

PWM Application 脈寬調製應用

▉Internal Schematic Diagram 內部結構

▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值

Characteristic 特性參數

Symbol 符號

Rat 额定值

Unit 單位

Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓

BV

DSS

30

V

Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓

V

GS

+20

V

Drain Current (continuous)漏極電流-連續

I

D

（at TC = 25°C）

150

A

Drain Current (pulsed)漏極電流-脈衝

I

DM

400

A

Total Device Dissipation 總耗散功率

P

TOT

(at TC = 25°C)

110

W

Avalanche energy, single pulsed 雪崩能量

EAS

350

mJ

Thermal Resistance Junction to Case 熱阻

R

Θ

JC

1.36

℃/W

Junction/Storage Temperature 結溫

/

儲存溫度

T

J

,T

stg

-55~175

℃

桂林斯壯微電子有限責任公司

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GMW4132D

▉Electrical Characteristics 電特性

(T

A

=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Min

最小值

Typ

典型值

Max

最大值

Unit

單位

Drain-Source Breakdown Voltage

漏極-源極擊穿電壓(I

D

=250uA,V

GS

=0V)

BV

DSS

30

—

—

V

Gate Threshold Voltage

栅極開启電壓(I

D

=250uA,V

GS

= V

DS

)

V

GS

(th)

1

1.6

3

V

Zero Gate Voltage Drain Current

零栅壓漏極電流(V

GS

=0V, V

DS

= 30V)

I

DSS

—

—

1

uA

Gate Body Leakage

栅極漏電流(V

GS

=+20V, V

DS

=0V)

I

GSS

—

—

+100

nA

Static Drain-Source On-State Resistance

静态漏源導通電阻(I

D

=30A,V

GS

=10V)

(I

D

=20A,V

GS

=4.5V)

R

DS(ON)

—

2

4

3.5

6

mΩ

Diode Forward Voltage Drop

内附二極管正向壓降(I

SD

=20A,V

GS

=0V)

V

SD

—

—

1.2

V

Input Capacitance 輸入電容

(V

GS

=0V, V

DS

=15V,f=1MHz)

C

ISS

—

3700

—

pF

Common Source Output Capacitance

共源輸出電容(V

GS

=0V, V

DS

=15V,f=1MHz)

C

OSS

—

700

—

pF

Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容

(V

GS

=0V, V

DS

=15V,f=1MHz)

C

RSS

—

390

—

pF

Total Gate Charge 總栅極電荷密度

(V

DS

=15V, I

D

=20A, V

GS

=10V)

Q

g

—

70

—

nC

Gate Source Charge 栅源電荷密度

(V

DS

=15V, I

D

=20A, V

GS

=10V)

Q

gs

—

9

—

nC

Gate Drain Charge 栅漏電荷密度

(V

DS

=15V, I

D

=20A, V

GS

=10V)

Q

gd

—

16

—

nC

Turn-On Delay Time 開启延迟時間

(V

DS

=15V, I

D

=15A, R

GEN

=3Ω,V

GS

=10V)

t

d(on)

—

12

—

ns

Turn-On Rise Time 開启上升時間

(V

DS

=15V, I

D

=15A, R

GEN

=3Ω,V

GS

=10V)

t

r

—

16

—

ns

Turn-Off Delay Time 關断延迟時間

(V

DS

=15V, I

D

=15A, R

GEN

=3Ω,V

GS

=10V)

t

d(off)

—

40

—

ns

Turn-On Fall Time 開启下降時間

(V

DS

=15V, I

D

=15A, R

GEN

=3Ω,V

GS

=10V)

t

f

—

10

—

ns