桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMW30N06
N-channel 60V, 30A, TO-252 Power MOSFET
功率场效应管
▉
Features
特點
Low on-resistance and maximum DC current capability
低導通電阻和最大直流電流能力
Super high density cell design
超高元胞密度設計
R
DS(ON)
<24mΩ@VGS=10V
R
DS(ON)
<30mΩ@VGS=4.5V
▉
Applications
应用
Power Management in Note book
筆記本電源管理
Portable Equipment
便攜式設備
Battery Powered System
電池電源系統
DC/DC Converter
直流/直流变换
Load Switch 負載開關應用
▉
Internal Schematic Diagram
内部结构
▉
Absolute Maximum Ratings
最大额定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BV
DSS
60
V
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
V
GS
+20
V
Drain Current (continuous)漏極電流-連續
I
D
（at TC = 25°C）
30
A
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
I
DM
60
A
Total Device Dissipation
總耗散功率
P
TOT
(at TC = 25°C)
35
W
Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻
R
Θ
JA
50
℃
/W
Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度
T
J
,T
stg
-55~150
℃
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMW30N06
▉
Electerical Characteristics
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(I
D
=250uA,V
GS
=0V)
BV
DSS
60
— —
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(I
D
=250uA,V
GS
= V
DS
)
V
GS
(th)
2
3 4
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流
(V
GS
=0V, V
DS
= 60V)
I
DSS
— — 1 uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(V
GS
=+20V, V
DS
=0V)
I
GSS
— — +100 nA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻
(I
D
=30A,V
GS
=10V)
(I
D
=20A,V
GS
=4.5V)
R
DS(ON)
— 23
28
24
30
mΩ
Source Drain Current
源極-漏極電流
I
SD
— — 1.25 A
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I
SD
=1.25A,V
GS
=0V)
V
SD
—
— 1.3
V
Input Capacitance
輸入電容
(V
GS
=0V, V
DS
=15V,f=1MHz)
C
ISS
— — 900 pF
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容
(V
GS
=0V, V
DS
=15V,f=1MHz)
C
OSS
— — 100 pF
Gate Source Charge 栅源電荷密度
(V
DS
=15V, I
D
=1A, V
GS
=10V)
Q
gs
— 2.4 — nC
Gate Drain Charge
栅漏電荷密度
(V
DS
=15V, I
D
=1A, V
GS
=10V)
Q
gd
— 1.8 — nC
Turn-On Delay Time 開启延迟時間
(V
DS
=15V, I
D
=1A, R
GEN
=10Ω,V
GS
=10V)
t
d(on)
— 12 — ns
Turn-On Rise Time
開启上升時間
(V
DS
=15V, I
D
=1A, R
GEN
=10Ω,V
GS
=10V)
t
r
— 10 — ns
Turn-Off Delay Time 關断延迟時間
(V
DS
=15V, I
D
=1A, R
GEN
=10Ω,V
GS
=10V)
t
d(off)
— 52 — ns
Turn-On Fall Time
開启下降時間
(V
DS
=15V, I
D
=1A, R
GEN
=10Ω,V
GS
=10V)
t
f
— 28 — ns