桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMW2N20
N-channel 200V, 2A, TO-252 Power MOSFET
功率場效應管
▉Features 特點
Fast switching 快速開關
Improved dv/dt Capability 優化電壓變率能力
▉Applications 應用
Switch mode power supplies 開關電源
DC-DC converters and UPS 直流直流变换和不间断電源
PWM motor controls 脉宽调制電机控制
Power Factor Correction 功率因數校正
▉Internal Schematic Diagram 內部結構
▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rat 额定值
Unit 單位
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓
BV
DSS
200
V
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
V
GS
+30
V
Drain Current (continuous)漏極電流-連續
I
D
（at TC = 25°C）
2
A
Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲
I
DM
8
A
Total Device Dissipation 總耗散功率
P
TOT
(at TC = 25°C)
10
W
Thermal Resistance Junction-Case 熱阻
R
Θ
JC
13
℃/W
Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度
T
J
,T
stg
-55~150
℃
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMW2N20
▉Electrical Characteristics 電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(I
D
=250uA,V
GS
=0V)
BV
DSS
200
—
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(I
D
=250uA,V
GS
= V
DS
)
V
GS
(th)
1
2
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V
GS
=0V, V
DS
= 200V)
I
DSS
—
—
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(V
GS
=+30V, V
DS
=0V)
I
GSS
—
—
nA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
=1A,V
GS
=10V)
R
DS(ON)
—
1.65
Ω
Source Drain Current
源極-漏極電流
I
SD
—
—
A
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I
SD
=2A,V
GS
=0V)
V
SD
—
—
V
Input Capacitance 輸入電容
(V
GS
=0V, V
DS
=25V,f=1MHz)
C
ISS
—
500
pF
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(V
GS
=0V, V
DS
=25V,f=1MHz)
C
OSS
—
100
pF
Reverse Transfer Capacitance
反向傳輸電容(V
GS
=0V, V
DS
=25V,f=1MHz)
C
RSS
—
20
pF
Total Gate Charge 栅極電荷密度
(V
DS
=160V, I
D
=1A, V
GS
=10V)
Q
g
—
13.5
nC
Gate Source Charge 栅源電荷密度
(V
DS
=160V, I
D
=1A, V
GS
=10V)
Q
gs
—
2
nC
Gate Drain Charge 栅漏電荷密度
(V
DS
=160V, I
D
=1A, V
GS
=10V)
Q
gd
—
6
nC
Turn-On Delay Time 開启延迟時間
(V
DS
=100V, I
D
=1A, R
GEN
=25Ω,V
GS
=10V)
t
d(on)
—
9
ns
Turn-On Rise Time 開启上升時間
(V
DS
=100V, I
D
=1A, R
GEN
=25Ω,V
GS
=10V)
t
r
—
22
ns
Turn-Off Delay Time 關断延迟時間
(V
DS
=100V, I
D
=1A, R
GEN
=25Ω,V
GS
=10V)
t
d(off)
—
39
ns
Turn-On Fall Time 開启下降時間
(V
DS
=100V, I
D
=1A, R
GEN
=25Ω,V
GS
=10V)
t
f
—
20
ns