桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMS2302
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rat 額定值
Unit 單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BV
DSS
20
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
V
GS
+8
V
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
I
D
2.4
A
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
I
DM
10
A
Total Device Dissipation
總耗散功率
T
A
=25℃環境溫度爲 25℃
P
D
450
mW
Junction 結溫
T
J
150
℃
Storage Temperature 儲存溫度
T
stg
-55to+150
℃
■DEVICE MARKING 打標
GMS2302=A2.
2018.01 Rev
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMS2302
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊��明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(I
D
= 250uA,V
GS
=0V)
BV
DSS
20
—
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(I
D
= 250uA,V
GS
= V
DS
)
V
GS(th)
0.5
1.5
V
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I
S
= 0.75A,V
GS
=0V)
V
SD
—
1.2
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V
GS
=0V, V
DS
= 16V)
(V
GS
=0V, V
DS
= 16V, T
A
=55℃)
I
DSS
—
1
10
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(V
GS
=+8V, V
DS
=0V)
I
GSS
—
+100
nA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
=3A,V
GS
=4.5V)
R
DS(ON)
—
90
Ω
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
=2A,V
GS
=2.5V)
R
DS(ON)
—
130
Ω
Input Capacitance 輸入電容
(V
GS
=0V, V
DS
= 6V,f=1MHz)
C
ISS
—
580
pF
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(V
GS
=0V, V
DS
= 6V,f=1MHz)
C
OSS
—
180
pF
Turn-ON Time 开启時間
(V
DS
= 6V, I
D
= 1A, R
GEN
=6Ω)
t
(on)
—
20
ns
Turn-OFF Time 关断時間
(V
DS
= 6V, I
D
= 1A, R
GEN
=6Ω)
t
(off)
—
65
ns
Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%
2018.01 Rev