桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMG150N06
N-channel 60V, 3.5mΩ, 150A, TO-263 Trench Power MOSFET 溝槽式功率場效應管
▉Features 特點
Advanced trench technology 優秀溝槽技術
Ultra low on-resistance 超低導通電阻
Low gate charge 低栅電荷密度
Fast switching 快速開關能力
▉Applications 應用
Switch mode power supplies 開關電源
DC-DC converters and UPS 直流直流变换和不间断電源
PWM motor controls 脉宽调制電机控制
General switching applications 普通開關应用
▉Internal Schematic Diagram 內部結構
▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rat 额定值
Unit 單位
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓
BV
DSS
60
V
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
V
GS
+20
V
Drain Current (continuous)漏極電流-連續
I
D
（at TC = 25°C
at TC = 100°C）
150
105
A
Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲
I
DM
600
A
Total Device Dissipation 總耗散功率
P
TOT
(at TC = 25°C)
220
W
Single Pulse Avalanche Energy 雪崩能量
E
AS
1400*
mJ
Thermal Resistance Junction-Case 熱阻
R
Θ
JC
0.68
℃/W
Junction/Storage Temperature 結溫
/
儲存溫度
T
J
,T
stg
-55~175
℃
* E
AS
c o n d i t i o n ： L=0.5mH，Rg＝25Ω，V
D
=30V，V
GS
=10V，I
D
rating 20A
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMG150N06
▉Electrical Characteristics 電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(I
D
=250uA,V
GS
=0V)
BV
DSS
60
—
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(I
D
=250uA,V
GS
= V
DS
)
V
GS
(th)
1
1.8
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V
GS
=0V, V
DS
= 60V)
I
DSS
—
—
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(V
GS
=+20V, V
DS
=0V)
I
GSS
—
—
nA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
=50A,V
GS
=10V)
R
DS(ON)
—
3.5
mΩ
Forward Trans conductance
正向傳輸導納(I
D
=75A,V
DS
=50V)
g
FS
180
—
S
Source Drain Current
源極-漏極電流
I
SD
—
—
A
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I
SD
=40A,V
GS
=0V)
V
SD
—
—
V
Gate Resistance 柵極電阻
(V
GS
=0V, V
DS
=0V,f=1MHz)
Rg
—
3.5
Ω
Input Capacitance 輸入電容
(V
GS
=0V, V
DS
=25V,f=1MHz)
C
ISS
—
4650
pF
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(V
GS
=0V, V
DS
=25V,f=1MHz)
C
OSS
—
460
pF
Reverse Transfer Capacitance
回饋電容(V
GS
=0V, V
DS
=25V,f=1MHz)
C
RSS
—
420
pF
Total Gate Charge 栅極電荷密度
(V
DS
=30V, I
D
=30A, V
GS
=10V)
Q
g
—
110
nC
Gate Source Charge 栅源電荷密度
(V
DS
=30V, I
D
=30A, V
GS
=10V)
Q
gs
—
20
nC
Gate Drain Charge 栅漏電荷密度
(V
DS
=30V, I
D
=30A, V
GS
=10V)
Q
gd
—
45
nC
Turn-ON Time 開启時間
(V
DS
=30V, I
D
=2A, R
GEN
=2.5Ω,V
GS
=10V)
t
(on)
—
28
ns
Turn-OFF Time 關断時間
(V
DS
=30V, I
D
=2A, R
GEN
=2.5Ω,V
GS
=10V)
t
(off)
—
90
ns