桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM7002E(2N7002E)
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FET With ESD
N 沟道增强型带静电保护 MOS 场效应管
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BV
DSS
60
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
V
GS
+20
V
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
I
DR
300
mA
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
I
DRM
500
mA
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic 特性
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Total Device Dissipation 總耗散功率
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
P
D
225
1.8
mW
mW/℃
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻
R
Θ
JA
417
℃/W
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
T
J
,T
stg
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM7002E(2N7002E)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(I
D
=250uA,V
GS
=0V)
BV
DSS
60
—
—
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(I
D
=250uA,V
GS
= V
DS
)
V
GS(th)
1.0
—
2.5
V
Drain-Source On Voltage
漏極-源極導通電壓(I
D
=50mA,V
GS
=5V)
(I
D
=500mA,V
GS
=10V)
V
DS(ON)
—
—
0.375
3.75
V
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I
SD
=200mA,V
GS
=0V)
V
SD
—
—
1.5
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V
GS
=0V, V
DS
= BV
DSS
)
I
DSS
—
—
1
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(V
GS
=+10V, V
DS
=0V)
(V
GS
=+20V, V
DS
=0V)
I
GSS
—
—
+1
+10
uA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
=500mA,V
GS
=10V)
(I
D
=50mA,V
GS
=5V)
R
DS(ON)
—
—
3
3.5
Ω
ESD Rating
静电保护
ESD
1000V HBM
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%.