桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM3411
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
P
沟道增强型
MOS
场效应管
■
MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BV
DSS
-20
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
V
GS
+8
V
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
I
D
-3.6
A
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
I
DM
-10
A
Total Device Dissipation
總耗散功率
T
A
=
25
℃環境溫度爲
25
℃
P
D
1250
mW
Junction 結溫
T
J
150
℃
Storage Temperature 儲存溫度
T
stg
-55to+150
℃
■DEVICE MARKING 打標
GM3411=A11
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Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM3411
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(I
D
= -250uA,V
GS
=0V)
BV
DSS
-20
— —
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓
(I
D
= -250uA,V
GS
= V
DS
)
V
GS(th)
-0.7
— —
V
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I
S
= -0.46A,V
GS
=0V)
V
SD
—
-0.6 —
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V
GS
=0V, V
DS
= -16V)
(V
GS
=0V, V
DS
= -16V, T
A
=55℃)
I
DSS
— — -1
-10
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流
(V
GS
=+8V, V
DS
=0V)
I
GSS
— — +100 nA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
= -3.6A,V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
— — 52 mΩ
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
= -3.1A,V
GS
= -2.5V)
R
DS(ON)
— — 72 mΩ
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
= -2.7A,V
GS
= -1.8V)
R
DS(ON)
— — 120 mΩ
Input Capacitance
輸入電容
(V
GS
=0V, V
DS
= -15V,f=1MHz)
C
ISS
— 1312 — pF
Output Capacitance
輸出電容
(V
GS
=0V, V
DS
= -15V,f=1MHz)
C
OSS
— 130 — pF
Turn-ON Time 开启時間
(V
DS
= -10V, I
D
= -1A, R
GEN
=6Ω)
t
(on)
— 6.5 — ns
Turn-OFF Time
关断時間
(V
DS
= -10V, I
D
= -1A, R
GEN
=6Ω)
t
(off)
— 31 — ns
Pulse Width<300
μ
s; Duty Cycle<2.0%