ESD5Z3V3 ... ESD5Z12
ESD5Z3V3 ... ESD5Z12
ESD Protection Diodes in SMD
ESD-Schutzdioden in SMD
P
PPM
= 158 ... 240 W
T
jmax
= 150°C
V
WM
= 3.3 ... 12 V
V
BR
= 5 ... 14.1 V
V
PP1
= ± 30 kV
Version 2018-02-09
SOD-523
Dimensions - Maße [mm]
Type Code see next page
Type Code siehe nächste Seite
Typical Applications
ESD protection
Data line and I/O port
protection
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
ESD-Schutz
Schutz von Datenleitungen
und Ein-/Ausgängen
Standardausführung
1
)
Features
Low junction capacitance
Low leakage current
Miniature case outline
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Miniatur-Gehäusebauform
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 4000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)
ESD5Z3V3
ESD5Z5V0
ESD5Z6V0
ESD5Z12
P
PPM
158 W
3
)
174 W
3
)
181 W
3
)
240 W
3
)
Peak pulse power current (8/20 µs waveform)
Impuls-Strom (8/20 µs Impuls)
ESD5Z3V3
ESD5Z5V0
ESD5Z6V0
ESD5Z12
I
PPM
11.2 A
3
)
9.4 A
3
)
8.8 A
3
)
9.6 A
3
)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
P
tot
200 mW
4
)
ESD immunity (HBM, air discharge)
ESD-Festigkeit (HBM, Luftentladung)
JESD-A114D V
PP
± 30 kV
ESD immunity (contact discharge)
ESD-Festigkeit (Kontaktentladung)
IEC 61000-4-2 V
PP
± 16 kV
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
4 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.2
0.12
0.8
0.35
0.7
1.6
Type
Code
ESD5Z3V3 ... ESD5Z12
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Type
Typ
Type
Code
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei V
WM
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
I
T
= 1 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei I
PPM
(8/20 µs)
ESD5Z...
C
j
[pF]
V
WM
[V]
I
D
[µA]
V
BR min
[V]
V
C
[V]
...3V3
ZE
typ. 105
3.3
0.05
5.0
8.4
...5V0
05
typ. 80
5.0
0.05
6.2
11.6
...6V0
06
typ. 70
6
0.01
6.8
12.4
...12
12
typ. 55
12
0.01
14.1
17.0
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 400 K/W
1
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
0
0 t 20 40 60 [µs]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 8 µs
r
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1